Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 241-9892
Herst. Teile-Nr.:: IAUC90N10S5N062ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IAUC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: IAUC90N10S5N062ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	120A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	IAUC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie IAUC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUC90N10S5N062ATMA1

MOSFET der Serie IAUC von Infineon, 81 W maximale Verlustleistung, 120 A maximaler kontinuierlicher Ableitstrom – IAUC90N10S5N062ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Leistungsschalttransistor, der für Hochstrom- und Hochtemperaturumgebungen entwickelt wurde und eine kontrollierte Leitfähigkeit in N-Kanal-Konfigurationen mit Verstärkungsmodus bietet. Er ist für Oberflächenmontageanwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung erforderlich ist, und erfüllt Umweltstandards.

Merkmale und Vorteile:

• 40 V Drain-Nennleistung ermöglicht Mittelspannungs-Leistungsschaltung
• 120 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromlasten
• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,7 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung für eine höhere Leistungsaufnahme
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz bietet eine breite Gate-Treiber-Flexibilität

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Power-Management-Module
• Ideal für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Wird für die DC/DC-Umwandlung in industriellen Systemen verwendet
• Kann zum Schutz und zur Verteilung von Batterien verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromversorgungen

In welchem Temperaturbereich kann er betrieben werden?

Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C, um breiten thermischen Ummantelungen gerecht zu werden.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage zur Steuerung von Leiterplatten und thermischen Wegen konzipiert ist.

Ist er für die Anforderungen des Automobildesigns geeignet?

Er erfüllt die AEC-Q101-Qualifikation und ist RoHS-konform für Anwendungen in Automobilqualität.

Welchen Kanal und welche Leitungsart verwendet er?

Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus für kontrolliertes Schaltverhalten arbeitet.