Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 241-9970P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC034N10LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC034N10LS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Gerät, das für die Leistungsschaltung und -umwandlung in oberflächenmontierten Anwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und eignet sich für Umgebungen, die eine robuste thermische Toleranz und geringe Leitungsverluste erfordern. Die Komponente wird in einem TDSON-Gehäuse für platinenmontierte Leistungsstufen geliefert und ist RoHS-konform.
Merkmale und Vorteile:
• Nennleistung von 40 V für Mittelspannungsstufen
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromversorgung
• 0,7 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• 81 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Leistung
• 80 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung
• Gate-Source-Beständigkeit bis zu 20 V für flexible Antriebsmargen
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromversorgung
• 0,7 mΩ Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• 81 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Leistung
• 80 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltsteuerung
• Gate-Source-Beständigkeit bis zu 20 V für flexible Antriebsmargen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Schaltreglern
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern
• Kann für Server-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Energieverwaltungsbaugruppen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Schaltreglern
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern
• Kann für Server-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Energieverwaltungsbaugruppen
Welchen Umgebungstemperaturen kann er im Betrieb standhalten?
Es arbeitet von -55 °C bis +150 °C und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit breitem Temperaturbereich.
Wie trägt das Gerät zur Reduzierung der Wärme in dichten Stromversorgungssystemen bei?
Der niedrige Drain-Source-Widerstand minimiert I2R-Verluste und reduziert die Wärmeentwicklung während der Leitung.
Welche Befestigungsmethode ist für die Platinenmontage erforderlich?
Er ist für die Oberflächenmontage in einem TDSON-Gehäuse vorgesehen, um kompakte Leistungslayouts zu ermöglichen.
Wie groß ist der typische Durchlassspannungsabfall bei Leitfähigkeit?
Die Durchlassspannung ist für Bedingungen, bei denen Vgs und Id eine Durchlassleitung erzeugen, auf 1,1 V angegeben.