Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
241-9972P
Herst. Teile-Nr.:
BSC110N15NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BSC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor Optimos 5 von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET, der sich ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung eignet. Er ist gemäß JEDEC für die Zielanwendung qualifiziert.

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand.

Die Betriebstemperatur beträgt 150 Grad Celsius

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