Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 273 A 81 W, 3-Pin IPB120N10S405ATMA1 TO-263

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

2,18 €

(ohne MwSt.)

2,59 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 6.993 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +2,18 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
242-5825
Herst. Teile-Nr.:
IPB120N10S405ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

273A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET bietet ein D2PAK-Gehäuse und ist ideal geeignet für Resonanztopologien in Hochleistungs -SMPS wie Server, Telekommunikation und EV-Ladestationen, bei denen er erhebliche Effizienzverbesserungen ermöglicht.

N-Kanal - Normalpegel - Verbesserungsmodus

AEC Q101 qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

175 °C Betriebstemperatur

100 % Avalanche geprüft

Verwandte Links