Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20.2 A 81 W, 8-Pin MLPAK33

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RS Best.-Nr.:
243-4895
Herst. Teile-Nr.:
PXP8R3-20QXJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

MLPAK33

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal-Verbesserungsmodus-Feld-Effekt-Transistor (FET) von Nexperia in einem MLPAK33 (SOT8002) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Niedrige Schwellenspannung

Trench-MOSFET-Technologie

High-Side-Lastschalter

Batteriemanagement

DC/DC-Umwandlung

Schaltkreise

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