Infineon IRFH N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 11 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 243-9303P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL60HS118
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
58,90 €
(ohne MwSt.)
70,10 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 7.880 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | 1,178 € |
| 125 - 245 | 1,10 € |
| 250 - 495 | 1,032 € |
| 500 + | 0,952 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9303P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL60HS118
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der IRFH-Serie von Infineon, 81 W maximale Verlustleistung, 40 V maximale Drain-Source-Spannung – IRL60HS118
Dieser MOSFET ist ein SMD-Leistungsschalter, der für Hochstrom-Hochgeschwindigkeitsschaltungen in der Automobil- und Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Wärmebehandlung und geringe Leitungsverluste erfordern und gleichzeitig die elektrischen Anforderungen der Fahrzeugklasse erfüllen.
Merkmale und Vorteile:
• 0,7 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für Effizienzsteigerungen
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb mit hohem Strom
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten für Hochgeschwindigkeitsschaltungen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source eignet sich für Mittelspannungsstufen
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Toleranz für robuste Gate-Treiberpegel
• 11 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerbetrieb mit hohem Strom
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht schnelles Schalten für Hochgeschwindigkeitsschaltungen
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastbarkeit
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source eignet sich für Mittelspannungsstufen
• 20-V-Gate-Source-Grenzwert bietet Toleranz für robuste Gate-Treiberpegel
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in Fahrzeugsystemen
• Wird mit Motorsteuerungsstufen verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für die Oberflächenmontage auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für DC/DC-Wandler in Fahrzeugsystemen
• Wird mit Motorsteuerungsstufen verwendet, die ein schnelles Schalten erfordern
• Kann für Lastschaltvorgänge in der Industrieelektronik verwendet werden
• Geeignet für die Oberflächenmontage auf kompakten Leiterplatten
Welchen Gehäusetyp wird für die Montage verwendet?
Er wird in einem 8-poligen PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Welche Kanalpolarität sollte für die Designintegration erwartet werden?
Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Leitungskanal, der für Low-Side- und synchrone Topologien geeignet ist.
Welcher Zuverlässigkeitsstandard gilt für den Einsatz im Automobilbereich?
Er erfüllt die AEC-Q101-Qualitätskriterien für Halbleiterkomponenten in der Automobilindustrie.
Entspricht es den Umweltgefahrenbeschränkungen?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für Beschränkungen gefährlicher Stoffe.
