Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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243-9307P
Herst. Teile-Nr.:
BSC0904NSIATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET mit integrierter monolithischer Schottky-Diode und wurde für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.

N-Kanal

Hervorragende thermische Beständigkeit

Bleifreie Leiterbeschichtung;RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-22

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