Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 243-9329P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC059N04LS6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 81 W maximale Verlustleistung, 40 V maximale Drain-Source-Spannung – BSC059N04LS6ATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Hochstromschaltungen und Leistungsumwandlungen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er unterstützt den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und eine schnelle Gate-Steuerung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassleistung von 40 V ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 381 A Dauerstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 0,7 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 81 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelle Schaltübergänge
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht eine beträchtliche Gate-Drive-Amplitude
• 381 A Dauerstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 0,7 mΩ RDS(on) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 81 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelle Schaltübergänge
• 20-V-Gate-Nennwert ermöglicht eine beträchtliche Gate-Drive-Amplitude
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann zum Schutz der Batterien und zur Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann zum Schutz der Batterien und zur Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule
Welcher Gehäusetyp wird für die kompakte Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem SuperSO8-Gehäuse mit einer Grösse von 5 x 6 mm geliefert, das für die Oberflächenmontage geeignet ist.
Welchem Temperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Das Gerät arbeitet bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C für den Einsatz in einem breiten Temperaturbereich.
Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben beachtet werden?
Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V und die typische Gate-Ladung beträgt 80 nC, sodass Antriebsschaltkreise eine ausreichende Ladung für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit liefern müssen.
Wie erfüllt er Umweltauflagen?
Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für die Konformität mit eingeschränkten Stoffen.