ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W ESM

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-0123P
Herst. Teile-Nr.:
RYM002N05T2CL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

0.9V

Gehäusegröße

ESM

Serie

RYM002N05

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Rohm MOSFETs werden als extrem niedriger Einschaltwiderstand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. In einer breiten Palette von kompakten Typen, Hochleistungsausführungen und komplexen Typen, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden, und er wird mit einer Packung von 8000 Einheiten geliefert.

Niederspannungs-(0,9 V)-Antriebstyp

N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

Kleines SMD-Gehäuse

Bleifrei/RoHS-konform

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