Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
244-1553
Herst. Teile-Nr.:
BSC0901NSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BSC

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC0901NSATMA1


Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Halbleiterschalter, der für Hochstrom-Leistungsumwandlungen und SMD-Anwendungen auf kompakten Leiterplatten entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich, wenn eine robuste Drain-to-Source-Leistung und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Maximale Drain-Source-Spannung von 40 V ermöglicht Mittelspannungsstufen
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 381 A unterstützt eine hohe Strombelastbarkeit
• Niedrige Rds(on) von 0,7 mΩ reduziert Leitungsverluste bei hoher Last
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine erhebliche thermische Handhabung
• Typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Einstufung bietet eine große Gate-Drive-Marge für die Steuerung

Anwendungsbereich


• Geeignet für primäre Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für Hochstrom-Leistungsumwandlungsmodule
• Wird mit oberflächenmontierten Baugruppen verwendet, die kompakte MOSFETs erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Batteriemanagement-Schaltkreise

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?


Es funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis +150 °C und eignet sich für extreme thermische Umgebungen.

Welches Gehäuse wird für die Montage auf kompakten Leiterplatten verwendet?


Er wird in einem SuperSO8 5x6 mm oberflächenmontierbaren Gehäuse für dichte Layouts geliefert.

Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf das Schaltdesign aus?


Die Gate-Ladung von 80 nC definiert die Antriebsenergie und beeinflusst Schaltverluste und Treibergrößen.

Wie hoch ist die Durchlassspannung während der Leitung?


Die Durchlassspannung ist auf 1 V angegeben, was auf den Leitungsabfall unter bestimmten Bedingungen hinweist.

Gibt es spezifische Zulassungen oder Umweltstandards?


Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.

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