Infineon N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 500 V / 1,7 A, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 244-2265
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R3K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 244-2265
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R3K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Die CoolMOS™ CE Power MOSFETs von Infineon sind eine Technologieplattform für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurden und die Anforderungen der Verbraucher erfüllen sollen.
Äußerst geringe Verluste aufgrund der sehr niedrigen FOM Rdson Qg und Eoss.
Sehr hohe Pendelhärte.
Einfach zu bedienen/fahren.
Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse.
Qualifiziert für Standardanwendungen.
Sehr hohe Pendelhärte.
Einfach zu bedienen/fahren.
Pb-freie Beschichtung, halogenfreie Formmasse.
Qualifiziert für Standardanwendungen.