Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 3 A 81 W, 3-Pin IPN60R2K0PFD7SATMA1 SOT-223

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RS Best.-Nr.:
244-2267
Herst. Teile-Nr.:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

IPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 Superjunction-MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) ergänzt das CoolMOS™ 7-Angebot für Endverbraucheranwendungen, das auf ultrahohe Leistungsdichte und höchste Effizienz zugeschnitten ist.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM RDS(on)*Qg und RDS(on)*Eoss

Niedrige Schaltverluste Eoss, ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Schnelle Body-Diode

Breites Portfolio an RDS(on) und Gehäusevarianten

Integrierte Zener-Diode

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