ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1200 V / 81 A, 4-Pin SCT4018KRC15 Rohr
- RS Best.-Nr.:
- 246-1538
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT4018KRC15
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
31,12 €
(ohne MwSt.)
37,03 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 376 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 31,12 € |
| 10 - 24 | 28,72 € |
| 25 - 49 | 27,41 € |
| 50 - 99 | 26,88 € |
| 100 + | 24,52 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-1538
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT4018KRC15
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 81A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Rohr | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 81A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Rohr | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM SCT4018KRC15 ist ein Sic MOSFET, der zur Miniaturisierung und niedrigem Energieverbrauch von Anwendungen beiträgt. Dies ist ein Produkt der 4. Generation, das einen branchenführenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand erreicht, ohne die Kurzschlussdauer zu opfern. Es ist ein 4-poliger Gehäusetyp mit einem Treiberquellenanschluss, der die Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung maximieren kann, was ein Merkmal von Sic MOSFET ist. Diese Serie hat eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um ca. 40 Prozent und eine Reduzierung des Schaltverlusts um ca. 50 Prozent im Vergleich zu herkömmlichen Produkten. Die 15-V-Gate-Quellenspannung erleichtert die Anwendung.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Schnelle umgekehrte Erholung
Einfache Parallelmontage
Einfach zu steuern