DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 246-6821
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2065U-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMP2065U-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT23-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität
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