DiodesZetex N-Kanal 2, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 9 A 0.8 W, 6-Pin U-DFN2030
- RS Best.-Nr.:
- 246-7508P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-13
- Marke:
- DiodesZetex
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 246-7508P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2014LHAB-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | U-DFN2030 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße U-DFN2030 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex stellt einen zweifachen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET der neuen Generation her. Er wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem U-DFN2030-6-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C. Er bietet eine niedrige Eingangskapazität und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±16 V. Es bietet ein ESD-geschütztes Gate mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und niedriger Gate-Schwellenspannung