DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung 1 W, 6-Pin TSOT-26

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

7,925 €

(ohne MwSt.)

9,425 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 6.000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 250,317 €7,93 €
50 - 750,311 €7,78 €
100 - 2250,236 €5,90 €
250 - 9750,232 €5,80 €
1000 +0,218 €5,45 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
246-7509
Herst. Teile-Nr.:
DMN2024UVTQ-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSOT-26

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.034Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.1nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen erfüllt. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem TSOT26-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 20 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±10 V. Wärmeeffizientes Gehäuse, ideal für kühler laufende Anwendungen. Bietet eine niedrige Eingangskapazität

Verwandte Links