DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 246-7524
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2065UQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 246-7524
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2065UQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT23-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Ablass-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±12 V. Sie bietet einen kleinen Formfaktor und ein thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Produkte mit höherer Dichte. Sie bietet ein kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Produkte mit höherer Dichte
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