DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-7529
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3021SFVWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.025mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.025mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4 mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem powerDI3333-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Es bietet einen kleinen Formfaktor und ein effizientes Gehäuse, das Endprodukte mit höherer Dichte ermöglicht. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung. Er hat einen Betriebstemperaturbereich von –55 °C bis +150 °C.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 30 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±25 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet ein ESD-geschütztes Gate
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