DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 160 mA 1.73 W, 8-Pin DMP65H20D0HSS-13 SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 246-7535
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP65H20D0HSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
4,33 €
(ohne MwSt.)
5,15 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 3.960 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,433 € | 4,33 € |
| 50 - 90 | 0,421 € | 4,21 € |
| 100 - 490 | 0,41 € | 4,10 € |
| 500 + | 0,401 € | 4,01 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-7535
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP65H20D0HSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.85 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.45mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.85 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 600 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±30 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität.
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin DMPH4015SSSQ-13 SOIC
- DiodesZetex DMP65H Typ P-Kanal 8-Pin DMP65H13D0HSS-13 SOIC
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- DiodesZetex DMP65H Typ P-Kanal 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMP3011SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMPH33M8SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8