DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 79 A 1.73 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 246-7537
- Herst. Teile-Nr.:
- DMPH4011SK3Q-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 79A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.58mm | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.58mm | ||
Höhe 2.29mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET her, der die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen erfüllt. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem TO252-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Sie ist für +175 °C ausgelegt und ideal für Umgebungen mit hohen Umgebungstemperaturen geeignet. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 40 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität
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