onsemi, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 900 V 328 W F1-2PACK
- RS Best.-Nr.:
- 248-5826P
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH010P90MNF1PTG
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | F1-2PACK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 328W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße F1-2PACK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 328W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ON Semiconductor ist ein Leistungsmodul, das eine SiC-MOSFET-Halbbrücke mit 10 mohm/900 V und einen Thermistor in einem F1-Gehäuse enthält.
10 mohm/900 V SiC-MOSFET-Halbbrücke
Optionen mit vorappliziertem Wärmeleitmaterial und ohne vorappliziertes TIM
Einpressstifte
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