ROHM RCJ451N20 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 200 V / 10.7 A 104 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
RCJ451N20TL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

RCJ451N20

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm N-Kanal Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und schneller Schaltgeschwindigkeit, geeignet für Schaltanwendungen, hat eine 200-V-Drain-Source-Spannung und einen 45-A-Drain-Strom, der Verpackungsart aufklebt.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHs-konform

100-prozentige Lawinenprüfung

Einfache Antriebskreise möglich

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