Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 190 A 81 W, 8-Pin HSOF-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

7.288,00 €

(ohne MwSt.)

8.672,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +3,644 €7.288,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
249-3348
Herst. Teile-Nr.:
IPT039N15N5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

IPT

Gehäusegröße

HSOF-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon Optimos 5 Power-Mosfet ist ein N-Kanal-Mosfet mit sehr niedrigem On-Widerstand und hervorragender thermischer Beständigkeit. Dieses Teil ist Pb (Blei) und halogenfrei. Es wird in einem oberflächenmontierbaren PG-HSOF-8-Gehäuse geliefert.

Die Drain-Source-Spannung (Vdss) beträgt 150 V

Der kontinuierliche Drainstrom (Id) bei 25 °C beträgt 21 A (Ta), 190 A (Tc)

Die Ansteuerspannungen (Max Rds On, Min Rds On) betragen 8 V und 10 V

Die Betriebstemperatur liegt zwischen -55 °C und 175 °C (TJ)

Verwandte Links