STMicroelectronics A2F, Fahrgestell SiC-Leistungsmodul 1200 V Erweiterung / 75 A ACEPACK 2 A2F12M12W2-F1

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Herst. Teile-Nr.:
A2F12M12W2-F1
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

SiC-Leistungsmodul

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

A2F

Gehäusegröße

ACEPACK 2

Montageart

Fahrgestell

Drain-Source-Widerstand Rds max.

17mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Source-spannung max Vgs

18 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

UL

Automobilstandard

AEC-Q101

Das STMicroelectronics-Leistungsmodul in Vier-Pack-Topologie ist mit fortschrittlicher Siliziumkarbid-MOSFET-Technologie ausgestattet. Das Modul nutzt die innovativen Eigenschaften des SiC-Materials mit breiter Bandlücke und eines Substrats mit hoher thermischer Leistung.

Vier-Pack-Topologie

ACEPACK 2 Leistungsmodul

13 mΩ typischer RDS(on) pro Schalter

UL-zertifizierte Isolationsspannung von 2,5 kVeff

Integrierter NTC-Temperatursensor

DBC auf Cu-Al2O3-Cu-Basis

Einpresskontaktstifte

Hervorragende Schaltleistung, die praktisch temperaturunabhängig ist

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