Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V N / 20 A 33 W, 8-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S4L26ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOSTM-T2

Pinanzahl

8

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.

175 °C Betriebstemperatur

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