Infineon Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 980 mA, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 250-0538
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP321PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 250-0538
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP321PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 980mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 980mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der SIPMOS, Small-Signal-Transistor, P-Kanal Enhancement-Modus-Transistor von Infineon wird häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz eingesetzt. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.
Verstärkungsmodus, Normalpegel
Avalanche bewertet
Bleifreie Kabelbeschichtung und maximale Verlustleistung von 360 mW