Infineon BSS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / 630 mA 81 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 250-0554P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
500 weitere Einheiten hinzufügen, um 36% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
29,50 €
(ohne MwSt.)
35,10 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 6.830 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 100 - 490 | 0,295 € | - |
| 500 - 990 | 0,186 € | 36% |
| 1000 - 2490 | 0,169 € | 42% |
| 2500 + | 0,143 € | 51% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0554P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS209PWH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 630mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | BSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 550mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 630mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie BSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 550mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der BSS-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 0,63 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS209PWH6327XTSA1
Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für Oberflächenmontageanwendungen in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine kontrollierte Low-Side-Schaltung und ein Power-Management in Compact SOT-323-Gehäusen erfordern. Das Gerät bietet praktische Gate-Ladeeigenschaften und eine geringe Leistungsaufnahme für Kleinsignal- und Kfz-bezogene Schaltkreise.
Merkmale und Vorteile:
• 550 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand
• Die Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Die Durchlassspannung von 1 V minimiert den Spannungsabfall bei der Leitung der Diode
• 81 W Verlustleistung unterstützt transiente thermische Lasten
• Die Gate-Source-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Antriebsanordnungen
• Die Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltleistung
• Die Durchlassspannung von 1 V minimiert den Spannungsabfall bei der Leitung der Diode
• 81 W Verlustleistung unterstützt transiente thermische Lasten
• Die Gate-Source-Toleranz von ±20 V ermöglicht flexible Antriebsanordnungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kfz-Steuerschaltkreise
• Ideal für den Schutz vor Verpolung in der Kompaktstromschiene
• Wird mit Erkennung und Schaltung des Batteriemanagements verwendet
• Kann für die Sequenzierung der Stromversorgung tragbarer Geräte verwendet werden
• Nützlich für oberflächenmontierte Signalpegel-Leistungsschaltvorgänge
• Ideal für den Schutz vor Verpolung in der Kompaktstromschiene
• Wird mit Erkennung und Schaltung des Batteriemanagements verwendet
• Kann für die Sequenzierung der Stromversorgung tragbarer Geräte verwendet werden
• Nützlich für oberflächenmontierte Signalpegel-Leistungsschaltvorgänge
Welchen Betriebstemperaturen kann er standhalten?
Es funktioniert von -55 °C bis +150 °C.
Wie viele Stifte und welche Montageart wird verwendet?
Es handelt sich um ein 3-poliges Gerät für die Oberflächenmontage in SOT-323-Gehäusen.
Welche Zertifizierungen oder Zulassungen gibt es für den Einsatz in der Industrie?
Er ist RoHS-konform und erfüllt die Anforderungen der Automobilnorm AEC-Q101.
Was ist die maximal zulässige Drain-Source-Spannung und Gate-Grenze?
Die Drain-Source-Bewertung beträgt -20 V und die maximale Gate-Source-Spannung beträgt ±20 V.