Infineon BSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.30 A 81 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 250-0556P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS306NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
250 weitere Einheiten hinzufügen, um 3,25 € zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
27,20 €
(ohne MwSt.)
32,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
- Zusätzlich 16.380 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 100 - 240 | 0,272 € | - |
| 250 - 490 | 0,259 € | 3,25 € |
| 500 - 990 | 0,248 € | 12,00 € |
| 1000 + | 0,199 € | 73,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0556P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS306NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 57mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der BSS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSS306NH6327XTSA1
Merkmale und Vorteile:
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Die Verlustleistung von 81 W unterstützt eine hohe Leistungsaufnahme im Einzelpaket
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht Flexibilität bei der Auswahl von Gate-Antrieben
• Die Nennleistung von -55 °C bis +150 °C gewährleistet den Betrieb bei extremen Temperaturen
Anwendungsbereich
• Ideal für kompakte DC-Stromverwaltungsschaltkreise
• Wird mit Niederspannungs-Motortreibern und Lastschaltern verwendet
• Kann für Batterieschutz- und Verteilermodule verwendet werden
• Geeignet für die oberflächenmontierte Stromversorgungsregelung
