Infineon BSV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / 1.50 A 81 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 250-0562P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
8,10 €
(ohne MwSt.)
9,65 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,162 € |
| 100 - 240 | 0,144 € |
| 250 - 490 | 0,131 € |
| 500 + | 0,122 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0562P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSV236SPH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | BSV | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie BSV | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der BSV-Serie von Infineon, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSV236SPH6327XTSA1
Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Transistor, der für Schalt- und analoge Funktionen in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C und eignet sich für Anwendungen, die geringe Leitungsverluste und eine geringe Dauerstrombelastbarkeit erfordern. Das Gerät verwendet einen P-Kanal-Kanal im Enhancement-Modus und ist in einem kleinen SOT-363-Gehäuse für dichte Leiterplatten-Layouts erhältlich.
Merkmale und Vorteile:
• Niedrige Rds(on) von 4.20 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 20-V-Gate-Toleranz unterstützt P-Kanal-Schaltung mit mittlerer Spannung
• Die Dauerstromfähigkeit von 1,50 A ermöglicht gleichbleibende niedrige Stromlasten
• 81 W Verlustleistung ermöglicht kurzzeitige Handhabung höherer Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Steuerung der Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz unterstützt P-Kanal-Schaltung mit mittlerer Spannung
• Die Dauerstromfähigkeit von 1,50 A ermöglicht gleichbleibende niedrige Stromlasten
• 81 W Verlustleistung ermöglicht kurzzeitige Handhabung höherer Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Steuerung der Schaltenergie
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Hochtemperatur-Stromübertragung im Automobilbereich
• Ideal für das Schalten von oberflächenmontierten Lasten auf kompakten Leiterplatten
• Einsatz mit Gate-Treibern in Batteriemanagementsystemen
• Kann zum Polaritätsschutz und zur Rückstromregelung verwendet werden
• Ideal für das Schalten von oberflächenmontierten Lasten auf kompakten Leiterplatten
• Einsatz mit Gate-Treibern in Batteriemanagementsystemen
• Kann zum Polaritätsschutz und zur Rückstromregelung verwendet werden
Welcher Gehäusetyp ist für kompakte Baugruppen zu erwarten?
Er wird in einem SOT-363-Gehäuse geliefert, das für oberflächenmontierte Designs mit begrenztem Platzangebot geeignet ist.
Wie wirkt sich die Gate-Spannungsbegrenzung auf die Schnittstellenwahl aus?
Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, sodass Treiberschaltungen die Vgs innerhalb dieses Bereichs halten sollten.
Welche Zulassung unterstützt die Verwendung im Automobilbereich?
Er erfüllt die AEC-Q101-Standards für die Qualifizierung von Halbleitern in Automobilqualität.
Welchen thermischen Bereich kann das Gerät in rauen Umgebungen bewältigen?
Der Bemessungsbetrieb reicht von -55 °C bis +150 °C, um Anwendungen mit extremen Temperaturen zu ermöglichen.