Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -2.8 A 81 W, 3-Pin ISP25DP06LMSATMA1 SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 250-0566
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP25DP06LMSATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
3,02 €
(ohne MwSt.)
3,595 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 2.930 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,604 € | 3,02 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0566
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP25DP06LMSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons OptiMOS™ P-Kanal-Small-Signal-MOSFETs 60 V im SOT-223-Gehäuse bietet eine neue Technologie für Endverbraucheranwendungen. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Small-Signalbauelements ist die Reduzierung der Designkomplexität bei Anwendungen mit mittlerem und niedrigem Stromverbrauch.
Einfache Schnittstelle zur MCU
Schnelles Schalten
Avalanche-Robustheit