Vishay SIDR510EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27,7 A, 8-Pin PowerPak SO-8DC

RS Best.-Nr.:: 252-0254
Herst. Teile-Nr.:: SIDR510EP-T1-RE3
Marke:: Vishay

Vishay SIDR510EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27,7 A, 8-Pin PowerPak SO-8DC

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

2,725 €

(ohne MwSt.)

3,243 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	2,725 €	5,45 €
20 - 98	2,565 €	5,13 €
100 - 198	2,32 €	4,64 €
200 - 498	2,18 €	4,36 €
500 +	2,045 €	4,09 €

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Herst. Teile-Nr.:: SIDR510EP-T1-RE3
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Datasheet - SIDR510EP-T1-RE3

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Produktdetails

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM
100 % Rg und UIS getestet

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	27,7 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PowerPak SO-8DC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8

Vishay SIDR510EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 27,7 A, 8-Pin PowerPak SO-8DC

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