Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 30 V / 39.6 A 150 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

4.242,00 €

(ohne MwSt.)

5.049,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +1,414 €4.242,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
252-0261
Herst. Teile-Nr.:
SIDR610EP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

39.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8DC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0042mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.15mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET

Sehr niedrige RDS-Qg-Leistungszahl (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS - Qoss FOM

100 % Rg und UIS getestet

Verwandte Links