Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 243 A 214 W, 4-Pin SQJ154EP-T1_GE3 PowerPAK SO-8L

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

10,21 €

(ohne MwSt.)

12,15 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 901,021 €10,21 €
100 - 2400,96 €9,60 €
250 - 4900,868 €8,68 €
500 - 9900,817 €8,17 €
1000 +0,767 €7,67 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
252-0305
Herst. Teile-Nr.:
SQJ154EP-T1_GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

243A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0025mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.9 mm

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.

TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET

AEC-Q101 qualifiziert

100 % Rg und UIS getestet

Verwandte Links