Vishay SQJQ186ER Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 329 A 214 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)

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RS Best.-Nr.:
252-0314
Herst. Teile-Nr.:
SQJQ186ER-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

329A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8LR)

Serie

SQJQ186ER

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0014mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.9 mm

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Höhe

1.6mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.

TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET

AEC-Q101 qualifiziert

100 % Rg und UIS getestet

Dünne 1,9 mm Höhe

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