Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / 110 A 192 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW

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RS Best.-Nr.:
252-0320
Herst. Teile-Nr.:
SQS142ELNW-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8SLW

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

192W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

94nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.

TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET

AEC-Q101 qualifiziert

100 % Rg und UIS getestet

Benetzbare Flankenanschlüsse

Geringer thermischer Widerstand mit 0,75 mm Profil

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