onsemi NTH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
254-7675P
Herst. Teile-Nr.:
NTHL015N065SC1
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

NTH

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

283nC

Maximale Verlustleistung Pd

117W

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Durchlassspannung Vf

4.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


Die Serie NTH von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.

Verwendet in Solar-Wechselrichtern mit hoher Anschlusstemperatur, hoher Schaltgeschwindigkeit und niedriger Kapazität

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