DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal MOSFET 30 V 0.8 W UDFN-2020-6
- RS Best.-Nr.:
- 254-8593
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3032LFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3032LFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | UDFN-2020-6 | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße UDFN-2020-6 | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Es ist anwendbar in der Gehäuse-Steuerelektronik und
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, niedrige Eingangskapazität, schnelle Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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