DiodesZetex N-Kanal MOSFET -30 V 0.37 W X4-DSN1717-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8597P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2009UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMN2009UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1717-4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.37W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1717-4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.37W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
ESD-Schutz des Gates mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei