DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 9-Pin X2-DSN1515-9
- RS Best.-Nr.:
- 254-8622
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2541UCP9-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
3,09 €
(ohne MwSt.)
3,68 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 0,309 € | 3,09 € |
| 50 - 90 | 0,301 € | 3,01 € |
| 100 - 240 | 0,293 € | 2,93 € |
| 250 - 990 | 0,285 € | 2,85 € |
| 1000 + | 0,278 € | 2,78 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8622
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2541UCP9-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | X2-DSN1515-9 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 123nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.32mm | |
| Breite | 1.53mm | |
| Länge | 1.53mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße X2-DSN1515-9 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 123nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.32mm | ||
Breite 1.53mm | ||
Länge 1.53mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, schnelle Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 9-Pin X2-DSN1515-9
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 9-Pin X4-DSN1515-9
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 3-Pin X1-DFN1006-3
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W