DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8
- RS Best.-Nr.:
- 254-8640
- Herst. Teile-Nr.:
- DMPH33M8SPSW-13
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
11,25 €
(ohne MwSt.)
13,40 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 2.495 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,25 € | 11,25 € |
| 50 - 95 | 2,13 € | 10,65 € |
| 100 - 245 | 1,968 € | 9,84 € |
| 250 - 995 | 1,928 € | 9,64 € |
| 1000 + | 1,312 € | 6,56 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8640
- Herst. Teile-Nr.:
- DMPH33M8SPSW-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060-8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060-8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, hohe Umwandlungsenergie, halogen- und antimonfrei
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMP3011SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin DMPH33M8SPSWQ-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin DMP3021SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 8-Pin DMP27M1UPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin DMP2004UFG-13 PowerDI3333-8