Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Gehäusegröße	X4-DSN1515-9
	Pinanzahl	9
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	41mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.73W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.46 mm
	Länge	1.46mm
	Höhe	0.225mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Gehäusegröße X4-DSN1515-9
	Pinanzahl 9
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.73W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.46 mm
	Länge 1.46mm
	Höhe 0.225mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - DMT12H060LCA9-7

Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Es ist anwendbar in Lastschaltern und

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, hohe Schaltgeschwindigkeit, ESD-Schutz, halogen- und antimonfrei

DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 9-Pin X4-DSN1515-9

Verwandte Links