Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 1.8 A 20 W, 3-Pin TO-263

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256-7279
Herst. Teile-Nr.:
IRF9610SPBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das D2PAK (TO-263) ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse.

SMD-Montage

Erhältlich als Band und Rolle

Dynamische dV/dt-Nennleistung

P-Kanal

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

Einfache Antriebsanforderungen

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