Vishay IRFR220 N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 200 V / 4.8 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 256-7308
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR220PBF
- Marke:
- Vishay
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- IRFR220PBF
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IRFR220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.8Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IRFR220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.8Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFR220 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximale Verlustleistung von 42 W – IRFR220PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in oberflächenmontierten Konstruktionen. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für anspruchsvolle Umgebungen und wird in einem kompakten TO-252-Gehäuse geliefert, das für Leiterplattenmontage-Leistungsstufen geeignet ist.
Merkmale und Vorteile:
• 200 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 0.8 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 4,8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Ströme
• Die typische Gate-Ladung von 14 nC sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 42 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• Gate-Toleranz von ±20 V vereinfacht die Auswahl der Antriebsspannung
• 0.8 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• 4,8 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Ströme
• Die typische Gate-Ladung von 14 nC sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Maximale Verlustleistung von 42 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• Gate-Toleranz von ±20 V vereinfacht die Auswahl der Antriebsspannung
Anwendungen
• Geeignet für DC/DC-Wandler, die 200-V-Geräte erfordern
• Ideal für Schaltnetzteile in kompakten Layouts
• Wird mit Motortreibern verwendet, die eine moderate Strombelastbarkeit benötigen
• Kann für industrielle Steuerungs- und Schaltfunktionen verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschutzschaltungen auf Leiterplatten
• Ideal für Schaltnetzteile in kompakten Layouts
• Wird mit Motortreibern verwendet, die eine moderate Strombelastbarkeit benötigen
• Kann für industrielle Steuerungs- und Schaltfunktionen verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschutzschaltungen auf Leiterplatten
Welche Befestigungsmethode ist für diese Komponente erforderlich?
Es ist für die Oberflächenmontage in der Grundfläche des TO-252 vorgesehen und sollte zur thermischen und elektrischen Leistung direkt auf das Leiterplatten-Pad gelötet werden.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die Dauerbetriebsgrenzen aus?
Das Gerät ist für den Betrieb bei -55 °C bis +150 °C ausgelegt
muss eine thermische Entstörung über den Umgebungsgrenzwerten angewendet werden, um den Bemessungsdauerstrom und die Verlustleistung aufrechtzuerhalten.
Welche Überlegungen zum Gate-Drive werden empfohlen?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber die Amplitude innerhalb dieses Bereichs begrenzen sollten und bei der Abmessung des Treiberstroms die typische Gate-Ladung von 14 nC berücksichtigen sollten.
Welche Gehäusehöhe sollte bei Gehäusekonstruktionen zulässig sein?
Das mechanische Spiel sollte eine Bauelementhöhe von 2,39 mm aufnehmen, die von der Leiterplatte bis zum höchsten Punkt gemessen wird.
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