Vishay Si1026X Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 0.31 A, 6-Pin SOT-563
- RS Best.-Nr.:
- 256-7334
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1026X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI1026X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-563 | |
| Serie | Si1026X | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.56mm | |
| Länge | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-563 | ||
Serie Si1026X | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.56mm | ||
Länge 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das 2-N-Kanal-Dual-MOSFET-Array von Vishay Semiconductor, 60 V, 305 mA, 250 mW, SMD SC-89 (SOT-563F), halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand: 1,40 Ohm
Niedriger Schwellenwert 2 V
Niedrige Eingangskapazität: 30 pF
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
ESD-geschützt, 2000 V
