Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 25 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 256-7367P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5448DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI5448DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK ChipFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK ChipFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET-SMD-PowerPAK-Chipfet von Vishay Semiconductor ist einfach.
TrenchFET gen IV Power Mosfet
100 % Rg- und UIS-geprüft
Thermisch verbesserte powerPAK-chipFET-Gehäuse
Kompakte Abmessungen von weniger als 6,09 mm2
Dünnes 0,8-mm-Profil
56 % geringerer RDS(ON) als bei der vorherigen Generation