Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 2.1 A 0.9 W, 4-Pin MICRO FOOT

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Herst. Teile-Nr.:
SI8824EDB-T2-E1
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

MICRO FOOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.024Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.9W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.402mm

Automobilstandard

Nein

Die N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor besitzen einen typischen ESD-Schutz und ihre Anwendungen sind ultratragbare und tragbare Geräte, Lastschalter mit niedrigem Spannungsabfall, Stromleitungen mit kleinem Signal und Hochgeschwindigkeitsschaltung.

TrenchFET Power Mosfet

Extrem kleine Umrisse von 0,8 x 0,8 mm

Extrem dünn, 0,357 mm Höhe