Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 12 A 19 W, 6-Pin SIA445EDJ-T1-GE3 PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
256-7403
Herst. Teile-Nr.:
SIA445EDJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.024Ω

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Das P-Kanal-SMD-PowerPAK SC-70-6-Gehäuse von Vishay Semiconductor mit kleiner Abmessungsfläche und geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg-geprüft

Integrierter ESD-Schutz mit Zenerdiode

Typische ESD-Leistung: 2000 V

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