Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 12 A 19 W, 6-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 256-7403P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA445EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|
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- SIA445EDJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 800μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 800μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das P-Kanal-SMD-PowerPAK SC-70-6-Gehäuse von Vishay Semiconductor mit kleiner Abmessungsfläche und geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg-geprüft
Integrierter ESD-Schutz mit Zenerdiode
Typische ESD-Leistung: 2000 V