Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 190 V / 1.5 A, 6-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
256-7409P
Herst. Teile-Nr.:
SIB452DK-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

190V

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.033Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor mit seinem neuen thermisch verbesserten PowerPAK SC-75-Gehäuse verfügt über eine kleine Abmessungsfläche und einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand.

TrenchFET Power Mosfet

Anwendung ist Boost-Wandler für tragbare Geräte

Blei (Pb)-frei und halogenfrei

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