Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 200 V / 76 A 375 W TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 20 Stück (geliefert in Stange)*

56,80 €

(ohne MwSt.)

67,60 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.
Auf Lager
  • 950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
20 - 482,84 €
50 - 982,645 €
100 - 1982,445 €
200 +2,285 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-5807P
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4127PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

76A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Leiterplattenmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz

Weichere Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breitgefächertes Angebot